Кособуцький, П. С.Данилов, А. Б.Прокопчук, О. Л.2012-02-092012-02-092000Кособуцький П. С. Розрахунок профілів показників заломлення неоднорідних шарів на поверхні напівпровідникових кристалів, опромінених лазером / П. С. Кособуцький, А. Б. Данилов, О. Л. Прокопчук // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 66–70. – Бібліографія: 4 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11440Проаналізовано поверхневий шар монокристалів GaAs, опромінених лазерами інфрачервоного діапазону. Проаналізовано результати застосування різних моделей розрахунку параметрів плівки. На підставі проведеного аналізу визначено профіль показника заломлення та товщини поверхневих шарів.uaArticle