Irkha, VasilyGorbachev, VictorMikhalaki, Valeriy2012-08-272012-08-272012IIrkha V. Generation of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiation / Vasily Irkha, Victor Gorbachev, Valeriy Mikhalaki // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 499–500. – Bibliography: 3 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13938The process of generation and reproduction of dark-patch defects in GaAs and GaAlAs p-n-junctions after the X-ray irradiation are considered.enp-n-junctionimpurity centredark-patch defectsX-ray irradiationGeneration of defects in Р-N-junctions that are made from GaАs and GаАlAs after the X-ray irradiationArticle