Заячук, Д. М.Кемпник, В. І.Круковський, С. І.Полигач, Є. О.Рибак, О. В.2018-09-252018-09-252002Домішки РЗЕ у напівпровідниках АIVBVI і АIIIBV: поведінка та вплив на фізичні властивості. (Огляд) / Д. М. Заячук, В. І. Кемпник, С. І. Круковський, Є. О. Полигач, В. М. Рибак , О. В. Рибак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 459 : Електроніка. – С. 110–124. – Бібліографія: 37 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42856Подано огляд і узагальнення результатів експериментальних та технологічних досліджень поведінки і впливу домішок рідкісноземельних елементів (РЗЕ) на фізичні властивості бінарних напівпровідників PbTe, PbSe, GaAs та твердих розчинів на їх основі, одержаних авторами у співпраці зі своїми колегами-науковцями. Comprehansive review and generalization of the experimental and technological investigatins of the behaviour and influence of the rare-earth elements (REE) impurities on the physical properties of the binary PbTe, PbSe GaAs semiconductors and solid solutions based on them, obtained by authors in colaboration with their colleagues-scientists, are given.ukArticle© Заячук Д. М., Кемпник В. І., Круковський С. І., Полигач Є. О., Рибак В. М., Рибак О. В., 2002110–124621.315.592