Даньків, О. О.Пелещак, Р. М.2017-02-082017-02-082004Даньків О. О. Електронні та діркові стани у напруженій квантовій точці / О. О. Даньків, Р. М. Пелещак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 117–124. – Бібліографія: 14 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35782У межах моделі деформаційного потенціалу досліджено вплив деформації, яка виникає на межі розділу квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів квантової точки на її електронний та дірковий спектри. Встановлено критерії виникнення електронних та діркових рівнів у сферичній квантовій точці з врахуванням та без врахування деформаційних ефектів. The influence of deformation, which is on border of the unit of a quantum dot and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum dot on its electrons and holes spectra is investigated within the framework of the electron-deformation model. The criterion of occurrence electron and hole levels in a spherical quantum dot is established with the account and without the account deformation effects.uaArticle