Ковальський, А. П.2018-03-122018-03-122002Ковальський А. П. Вплив високоенергетичного у-випромінювання на оптичні властивості халькогенідних стекол системи As-Sb-S / А. П. Ковальський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 28–33. – Бібліографія: 13 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39581Досліджено вплив високоенергетичного у-випромінювання на спектри оптичного пропускання халькогенідних склоподібних напівпровідників системи A s-Sb-S по псевдобінарному розрізу (As2S3)x(Sb2S3)i-x. Встановлено, що у всьому досліджуваному концентраційному діапазоні радіаційна обробка приводить до потемніння стекол в області краю поглинання та його просвітління в області прозорості. Зроблено висновок, що величина та характер спостережуваних змін оптичних властивостей визначаються співвідношенням концентрацій атомів As та Sb. Запропоновано механізм радіаційно-індукованого дефектоутворення. Influence of high-energetic y-radiation on the optical transmittance spectra of chalcogenide vitreous semiconductors of As-Sb-S system along of (As2S3)x(Sb2S3)1-x pseudobinary line was investigated. It was established that radiation treatment leads to the darkening of glasses near the optical absorption edge and their bleaching in the transmittance region for the whole investigated concentration range. It was concluded that the magnitude and the character of observed changes of optical properties are determined by the ratio of As and Sb concentrations. Mechanism of radiation-induced defect formation processes was proposed.ukArticleКовальський А. П.28-33539.216.2