Невзоров, В. В.Смеркло, Л. М.2017-08-022017-08-022001Невзоров В. В. Зменшення дефектоутворення в технології виготовлення потужних ДМОН-транзисторів / В. В. Невзоров, Л. М. Смеркло // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 427 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 35–40. – Бібліографія: 6 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38599Показано вплив дефектів та дислокацій на електричні параметри потужних ДМОН-транзисторів. Досліджено гетерування дефектів за допомогою іонної імплантації вольфраму. Запропоновано засоби зменшення дефектоутворення при проведенні технологічних операцій. The influence of imperfections and dislocation on the electrical parameters of power DMOS transistors is presented in this paper. The imperfection gettering by W ions implantation is investigated. Methods for reduction of imperfection at technological process are proposed.uaArticle