Cиротюк, С. В.2012-12-032012-12-032012Ваків М. М. Дослідження фазових рівноваг в системі Bi-InSb / М. М. Ваків, С. І. Круковський, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 151–156. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16067Розраховані електронні енергетичні спектри кристала кремнію у наближеннях LDA та LDA GW. Порівняння з експериментом показує, що наближення LDA GW завдяки адекватному врахуванню екранування, отриманому за допомогою формалізму функції Гріна, краще описує збуджені стани напівпровідника ніж одночастинкові теорії. The electron energy spectrum in silicon crystal has been calculated within the LDA and LDA GW approximations. Comparison with experiment shows that the LDA GW approximation, due to adequate screening, obtained using the Green's function formalism, better describes the excited states of semiconductor than the single particle approaches.uaтеорія функціонала густини електронівзонні енергії електронівнаближення LDA GWDFT approachelectron band energiesLDA GW approximationArticle