Ревенко, КатеринаРомака, Віталій2010-06-152010-06-152009Ревенко К. Механізм електропровідності термометричного матеріалу TіNi1-xCoxSn / К. Ревенко, В. Ромака // Комп'ютерні науки та інженерія : матеріали ІІІ Міжнародної конференції молодих вчених CSE–2009, 14–16 травня 2009 року, Україна, Львів / Національний університет "Львівська політехніка". – Львів : Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2009. – С. 350–353. – ( Міжнародний молодіжний фестиваль науки «Litteris et Artibus»). – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/5154Crystal structure, density of electron states and electrotransport characteristics of the heavy, Co impurity, doped n-TiNiSn intermetallic semiconductor (N=9,5*10+1,9*10cm) were investigated in the T=80+380K temperature range. The variable degree of the occupation of Ni and Ti atomic positions Co atomic in the TiNi1-xCoxSn, x<0,003, lattices was established. It is equivalent to introducnion in this semiconductor the of acceptor and donor impurities.uatemperaturethermometric elementsemiconductorArticle