Герман, І. І.Махній, В. П.Черних, О. І.2014-03-202014-03-202013Герман І. І. Механізми формування оберненого струму в фоточутливих структурах Au/CdTe:O / І. І. Герман, В. П. Махній, О. І. Черних // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 88–91. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24025Проаналізовано основні механізми формування оберненого струму в поверхнево-бар’єрних діодах на основі підкладинок n-CdTe. Встановлено, що експериментальні вольтамперні характеристики при низьких обернених напругах визначаються тунельними процесами, а при великих – помноженням носіїв у результаті ударної іонізації. Analysis of the main mechanisms of inverse current in the surface-barrier diodes based on n-CdTе is carried out. Established that the experimental current-voltage characteristics at low inverse voltages are determined tunnel processes and at high inverse voltages – the sharp increase of carriers as a result of impact ionization.uaТелурид кадміюповерхнево-бар’єрний діоднадбар’єрний і генераційно-рекомбінаційний струмтунелюванняударна іонізаціяcadmium telluridesurface-barrier diodegeneration-recombination currenttunnelingimpact ionizationArticle