Druzhinin, AnatolyOstrovskii, IgorPalewski, TomaszNichkalo, StepanKoretskyy, RomanBerezhanskii, Yevgen2012-08-232012-08-232012Si wires for strain sensor application / Anatoly Druzhinin, Igor Ostrovskii, Tomasz Palewski, Stepan Nichkalo, Roman Koretskyy, Yevgen Berezhanskii // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп’ютерної інженерії : матеріали ХІ Міжнародної конференції TCSET2012, присвяченої 60-річчю заснування радіотехнічного факультету у Львівській політехніці, 21-24 лютого 2012 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2012. – С. 478–479. – Bibliography: 4 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/13859Resistance and magnetoresistance of Si microwires were studied in temperature range 4,2-300 K at magnetic fields up to 14 T. Ga-In gates were created to wires and ohmic I-U characteristics were observed in all temperature range. It was found high elastic strain for Si wires, linear thermoresistive characteristics as well as small magnitude of magnetoresistance (of about 5% at 14 T), which was used to design multifunctional sensor of simultaneous measurements of strain and temperature with minimal sensitivity to magnetic field intensity.enInGa contactsmagnetoresistancewiresstrain sensorsArticle