Буджак, Я. С.Дружинін, А. О.Островський, І. П.Когут, Ю. Р.2015-12-172015-12-172006Првідність легованих ниткоподібних критсалів твердого розчину Si-Ge / Я. С. Буджак, А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. Р. Когут // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2006. – № 569 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. – С. 133–137. – Бібліографія: 6 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30558Досліджено залежності провідності ниткоподібних кристалів твердого розчину SiGe <В, Pt> від температури (4,2-250К). На основі врахування механізмів розсіювання носіїв заряду у кристалах визначена енергія активації та концентрації легуючих домішок. The conductance dependencies for Si-Ge<B, Pt> solid solution whiskers on temperature (4,2-250K) were studied. Accounting mechanisms of charge carrier scattering in the crystals the impurity activation energy and doping concentrations were evaluated.uaArticle