Британ, В. Б.Цюцюра, Д. І.Пігур, О. М.Ковачьчук, І. В.Денис, Р. В.Кричюк, С. Г.2017-02-082017-02-082004Про домішково-дефектні стани В CdxZnlxTe, вирощених у різних умовах / В. Б. Британ, Д. І. Цюцюра, О. М. Пігур, І. В. Ковальчук, Р. В. Денис, С. Г. Крилюк // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 108–112. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35780Проведені дослідження, пов’язані з технологією вирощування CdxZni_xTe, та аналіз домішково-дефектного стану кристалів CdxZni_xTe, вирощених методом сублімації у вакуумі, у водні із шихти, синтезованої у водні, а також у вакуумі із шихти, синтезованої у водні. За спектрами фотолюмінісценції, отриманих при 5 К найменш дефектними виявились кристали CdxZni_xTe, вирощені із шихти, синтезованої у водні. The paper deals with the investigation of CdxZni_xTe growth technology and analysis of a impurity and defective condition of crystals CdxZni_xTe brought up by a method of sublimation in vacuum, at hydrogen from charge, synthesized in hydrogen and in vacuum from charge synthesized in hydrogen is carried out. The crystals CdvZni_vTe, brought up from charge, synthesized in hydrogen are the less defective behind the spectrum of photoluminescence received at 5 K least defective have appeared.uaArticle