Большакова, І. А.Ковальова, Н. В.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Шуригін, Ф. М.2017-02-082017-02-082004Большакова І. А. Дослідження процесів росту та властивостей мікрокристалів арсенідів галію та індію / І. А. Большакова, Н. В. Ковальова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 40–47. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35770Методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі вирощені мікро-кристали InAs та GaAs. Для оптимізації технологічних умов проведено моделювання фізико-хімічних процесів, що відбуваються у системах InAs-HCl та GaAs-HCl, визначені оптимальні температури вирощування мікрокристаліа Проведені дослідження електрофізичних параметрів мікрокристалів lnAs<Sn> з різним рівнем легування в температурному діапазоні 77-440К. Досліджено вплив опромінення реакторними нейтронами до флюенсу Ф=М015 н*см'2 на електрофізичні параметри мікрокристалів lnAs<Sn>. Показана можливість створення мікросенсорів магнітного поля на основі мікрокристалів lnAs<Sn> з початковою концентрацією носіїв заряду п=(2-4)‘1018 см'3. Радіаційна стійкість за таких умов становить 0,3 %. By the method of chemical transport reactions, the InAs and GaAs microcrystals were developed in the chloride system. For the optimization of the technological conditions, the modeling of the physicochemical processes, running in the InAs-HCl and GaAs-HCl systems was performed, and the optimal temperatures for microcrystal growth were determined. The investigation of electro-physical parameters of lnAs<Sn> microcrystals with the different level of doping in the temperature range of 77-440K were performed. The influence of the irradiation with reactor neutrons on the electro-physical parameters of lnAs<Sn> microcrystals was investigated up to the fluence of F=M015 H'cm'2. The possibility of the creation of the magnetic field microsensors based on lnAs<Sn> microcrystals with the initial charge carrier concentration of n=(2-4)*1018 cm'3 is shown. The radiation resistance under such conditions is of 0,3 %.uaArticle