Большакова, І. А.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Стецко, Р. М.Шуригін, Ф. М.2014-03-202014-03-202013Властивості віскерів твердого розчину GaxIn1-xAs, вирощених методом хімічних транспортних реакцій з газової фази / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 112–118. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24013Наведені результати вирощування методом хімічних транспортних реакцій мікрокристалів твердих розчинів GaxIn1-xAs з використанням в якості транспортера хлористого водню в закритому ампульному реакторі. Розроблені технологічні режими дали змогу отримати мікрокристали твердого розчину GaxIn1-xAs в широкому діапазоні складів: 0,3≤x≤0,8. Подано результати дослідження електрофізичних параметрів вирощених кристалів GaxIn1-xAs. Results of growing GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in hydrogen chloride environment by chemical transport reactions method in closed ampoule reactor are presented. The developed technological modes made it possible to obtain GaxIn1-xAs solid solution microcrystals in a wide range of compositions 0.3≤x≤0.8. Results of investigation into electrophysical parameters of obtained GaxIn1-xAs crystals are presented.uaпара-рідина-кристалтвердий розчинмікрокристалиарсенід індіюарсенід галіюvapor-liquid-crystalsolid solutionmicrocrystalsindium arsenidegallium arsenide.Article