Малик, О. П.2009-09-082009-09-082008Малик О. П. Локальна взаємодія електронів з потенціалом кристалічних дефектів у твердому розчині CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) за низької температури / О. П. Малик // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2008. – № 625 : Фізико-математичні науки. – С. 86–89. – Бібліографія: 10 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/1049Запропоновано близькодіючу модель розсіяння електронів на потенціалі статичної деформації в твердому розчинні CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1). Розраховано температурні залежності рухливості електронів в інтервалі 4.2 - 300K. Model of electron scattering on the short-range potential caused by the static strain eld in the solid solution CdxHg1¡xTe (x = 0:52; 0:59; 1) is proposed. The temperature dependences of electron mobility in the range 4:2 ¡ 300K are calculated.явища переносурозсіяння носіїв зарядуtransport phenomenacharge carrier scatteringArticle