Дружинін, А. О.Варшава, С. С.Островський, І. П.Лях, Н. С.Матвієнко, С. М.2017-02-082017-02-082004Вирощування ниткоподібних кристалів 8і-Се<=п> В закритій бромідній системі / А. О. Дружинін, С. С. Варшава, І. П. Островський, Н. С. Лях, С. М. Матвієнко // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 59–63. – Бібліографія: 10 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35773У цій роботі досліджено умови вирощування ниткоподібних кристалів (НК) Si].xGex (х=0,01^0,15), легованих домішкою Zn, в закритій бромідній системі. Встановлено залежність питомого опору від концентрації легуючої домішки та від діаметру кристалів. Наведені залежності механічних параметрів кристалів від складу твердого розчину. Подаються рекомендації щодо застосування даних НК як чутливих елементів сенсорів механічних та теплових величин. Growth conditions of Sii_xGex (x=0,01^0,15) whiskers doped with Zn impurity in closed bromide system were studied. Dependencies of resistivity on impurity concentration and whisker diameter were obtained. Dependencies of whisker mechanical parameters on composition of solid solution were provided. Recommendations of whisker application in sensors of mechanical and thermal values have been proposed.uaArticle