Ромака, В. А.Крайовський, Р.Ромака, Л. П.2010-02-092010-02-092009Ромака В. А. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-x YxNiSn на основі результатів розрахунку розподілу електронної густини / В. А. Ромака, Р. Крайовський, Л. П. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 639 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 163–168. – Бібліографія: 6 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2356Досліджено вплив акцепторної домішки Y на зміну кристалічної структури та розподілу електронної густини інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Y) = 0 ÷ 0,25. Зроблено висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF) Zr1-xYxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів. Influence of p-dopant of Y is іnvestigational on the change of crystalline structure and distributing of electronic closeness of intermetallic semiconductor of n-ZrNiSn in the concentration region of х(Y) = 0 ÷ 0,25. Conclusions are done about the pattern of behaviour of level Fermi (εF) Zr1-xYxNiSn, mechanisms of management position of εF and thermoelectric thermocouples.uaакцепторні домішкикристалічна структураArticle