Бончик, О. Ю.Готра, З. Ю.Кияк, С. Г.Могиляк, І. А.Тростинський, І. П.2018-09-192018-09-192001Ефекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідниками / О. Ю. Бончик, З. Ю. Готра, С. Г. Кияк, І. А. Могиляк, І. П. Тростинський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 101–105. – Бібліографія: назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42663Експериментально досліджено особливості морфології поверхні кремнієвих пластин в зонах дії секундних і мілісекундних лазерних імпульсів. Наведені резуль¬тати мікроскопічних досліджень періодичних структур, які формуються на поверхнях з кристалографічною орієнтацією (100), (111), (110), а також на площинах, вирізаних під кутом 6° до площини (100) і на аморфних шарах В203, нанесених на поверхню кремнію. The peculiarities of Si surface in the zone of second and millisecond laser pulses effect have been investigated experimentally. The outcomes of the microscopic studies of the periodical structures formed at the surfaces with crystallographic orientation (100), (111), (100) and at the surfaces cut at the angle 6° to the plane (100) as well as on amorphous layers B203 deposited on the Si surface are presented.ukЕфекти самоорганізації в процесах взаємодії лазерного випромінювання з напівпровідникамиSelf organizaton effects in laser processing of semiconductorsArticle© Бончик О. Ю., Готра З. Ю., Кияк С. Г., Могиляк І. А., Тростинський І. П., 2001101–105539.315