Фадєєв, С. В.Берченко, М. М.2014-03-202014-03-202013Фадєєв С. В. Утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe / С. В. Фадєєв, М. М. Берченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 69–73. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24026За допомогою методу фазових рівноваг побудовано діаграми фазових рівноваг оксидування твердого розчину Pb1-xSnxTe за кімнатної температури та температури 673 К. Оцінено хімічний склад границі розділу напівпровідник – власний оксид за цих температур. Методом рентгенівської дифракції досліджено динаміку процесу утворення кристалічних фаз на початкових етапах термічного оксидування твердого розчину. Встановлено, що основною сполукою, що утворюється на початкових етапах термічного оксидування Pb1-xSnxTe, є орторомбічний дилід трителурат – Pb2Te3O8 . To clarify the behaviour of thermally oxidized Pb1-xSnxTe the phase equilibrium diagram was calculated taking into account the change of the standard Gibbs energies of formation with the temperature up to 673 K.The X-ray diffractometry (XRD) studies of thermally oxidized Pb1-xSnxTe are summarised. It was established that the main compound formed at the initial stages of thermal oxidation Pb1-xSnxTe is the orthorhombic dilead tritellurate – Pb2Te3O8.uaIV-VI напівпровідникові сполукидіаграми фазової рівновагиоксидуваннямежа розділу власний діелектрик – напівпровідникрентгенівська дифракціяIV-VI semiconductor compoundsEquilibrium phase diagramsOxidationNative dielectric–compound semiconductor interfaceX-ray diffractionArticle