Ваків, М. М.Круковський, С. І.Тимчишин, В. Р.2012-02-202012-02-202011Ваків М. М. Низькотемпературна рідиннофазна епітаксія p-Si шарів в складі p-i-n Si високовольтних структур / М. М. Ваків, С. І. Круковський, В. Р. Тимчишин // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 50–54. – Бібліографія: 4 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11525Досліджено, що в галієвих розчинах із вмістом алюмінію ≈ 0,2 ваг. % забезпечується найкраща морфологія травленої поверхні кремнієвих підкладок. Показано, що додавання алюмінію від 0 до 1,6 ваг. % у галієвий розплав забезпечує можливість кристалізації сильно легованих шарів кремнію р-типу провідності в температурному інтервалі 750–650 ºС. It is investigated, that the best chemical etching morphology of silicon substrate is provided in gallium melts with content of aluminium ≈ 0,2 weight %. It is shown that extension of aluminium from 0 to 1,6 weight % into gallium melt provides crystallization capability of heavily doped silicon layers of p-type conductivity at 750–650 ºС temperature range.uaсильно леговані шариепітаксіальні структуривисока підстававідчутний опірliquid-phase epitaxyheavily doped layersepitaxial structuresthe high substrateresistivityArticle