Кеньо, Г. В.Малик, О. П.2019-08-212019-08-212002-03-262002-03-26Кеньо Г. В. Розрахунок високочастотних вольт-ф арадних характеристик МОН-конденсаторів на структурах “кремній-на-ізоляторі” / Г. В. Кеньо, О. П. Малик // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 53–58.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45255Розроблено математичну модель для розрахунку високочастотних вольтфарадних характеристик МОН-конденсаторів, виготовлених на структурах 44кремній-на-ізоляторі”. Проаналізовано залежність ємностей областей просторового заряду в напівпровідникових шарах поблизу меж розділу з діелектриком від їх зарядового стану. Оцінено зміну вкладу ємностей складових структури у загальну ємність залежно від прикладеної напруги.The mathematical model for calculation the high-frequency C-V characteristics of SOI MOS- capacitors is obtained. The dependence of the space charge region capacitance in semiconductor layers near interfaces “semiconductor-insulator” from its charge state is analysed. The change of contribution of the structure components capacitances into common capacitance depending on applied voltage is estimated.53-58ukArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002© Кеньо Г. В., Малик 0. П., 20026621.315.592Keno H. V. Rozrakhunok vysokochastotnykh volt-f aradnykh kharakterystyk MON-kondensatoriv na strukturakh "kremnii-na-izoliatori" / H. V. Keno, O. P. Malik // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 53–58.