Махній, В. П.Мельник, В. В.Сльотов, М. М.Ткаченко, І. В.2012-02-232012-02-232011Оптичні властивості ізовалентно-заміщених шарів селеніду кадмію / В. П. Махній, В. В. Мельник, М. М. Сльотов, І. В. Ткаченко // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 151–153. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11540На підкладинках селеніду цинку методом ізовалентного заміщення виготовлено шари Cd1-xZnxSe, склад яких визначається температурою відпалу і визначено умови синтезу шарів селеніду кадмію кубічної модифікації. Досліджено оптичні властивості отриманих шарів і встановлено механізми випромінювальної рекомбінації. Layers of Cd1–xZnxSe by isovalent substitution are produced on ZnSe substrates. Their composition is determined by annealing temperature. The conditions for synthesis of cadmium selenide layers of cubic modification are defined. The optical properties of the obtained layers and the mechanisms of emissivity recombination are investigated.uaселенід цинкуселенід кадміюізовалентне заміщеннялюмінесценціяоптичне відбиванняzinc selenidecadmium selenideisovalent substitutionluminescenceoptical reflectionArticle