Паньків, Л. І.Лабовка, Д. В.Лучкевич, В. М.Терлецька, А. М.Хляп, Г. М.Цмоць, В. М.2015-12-232015-12-232003Вплив високотемпературної обробки на мехінізми струмопроходження в mono- i poly - n-Si / Л. І. Паньків, Д. В. Лабовка, М. М. Лучкевич, А. М. Терлецька, Г. М. Хляп, В. М. Цмоць // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 112–118. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30859Описані результати з вивчення впливу високотемпературної обробки при температурі 900° С (ВТО-900) на механізми струмопроходження в структурах на основі mono- та poly-n-Si вихідних зразків і зразків, що пройшли ВТО. Порівняння ВАХ показало, що високотемператрна обробка не впливає на механізми струмопроходження в цих структурах.Встановлено, що домінуючою компонентою струму, який спостерігається в експеременті є тунельний.The results of the influence of high-temperature treatment at 900° C (HTT-900) on current mechanism in intial and treated mono- and poly-n-Si-based structures are presented. Comparison of I-V characteristics showed that high-temperature treatment does not influence o current mechanism in these structures. It was turned out that tunneling current is the dominant component of experimentally observed current.uaArticle