Романів, І. Б.2017-02-082017-02-082004Романів І. Б. Потенціальний профіль квантової ями ZnSe у гетероструктурі ZNSE/ZNS В залежності від концентрації електронів провідності / І. Б. Романів // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 513 : Електроніка. – С. 147–152. – Бібліографія: 11 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/35787У межах електрон-деформаційної моделі досліджено вплив концентрації носіїв струму на форму потенціальної ями ZnSe у напруженій гетероструктурі ZnSe/ZnS, в якій неузгодженість параметрів граток двох контактуючих епітаксіальних шарів становить ~ 4%. Показано, що електрон-деформаційна взаємодія призводить до виникнення поблизу межі розділу епітаксіальних шарів локальних електрон-деформаційних ям і бар’єрів, глибина і висота яких залежить від концентрації електронів провідності Встановлено, що зі збільшенням концентрації електронів провідності 10і7—10і9 слГ3, глибина цих ям та висота бар’єрів зростає на~6%. It was investigated that within the frame of the electron-deformation model the influence of concentrating of carries on the shape of a potential well ZnSe in a strained heterostructure ZnSe/ZnS with lattice mismatch in the epitaxial layers makes ~ 4%. Electron - deformation interaction are represented that in the vicinity of the heterocontact arise local electron- deformation wells and barries which depth and height depends on the conduction electron concentration. It was established that depth of these wells and height of these barriers is incremented on 6% with increasing conduction electron concentration from 1017 to 1019 cm3.uaArticle