Даньків, О. О.Пелещак, Р. М.Пелещак, Б. М.2015-12-232015-12-232003Даньків О. О. Формування потенціального профілю в матриці GaAs квантовими точками InAs / О. О. Даньків, Р. М. Пелещак, Б. М. Пелещак // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 126–134. – Бібліографія: 16 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30901Побудована модель когрентно-напруженої квантової точки. Розраховано вплив неоднорідної деформації, яка є на межі розділення квантової точки і гетероепітаксійного шару, та розмірів КТ на глибину і профіль потенціальної ями для електронів і дірок у гетеросистемі з квантовими точками.The model of a coherent-strained quantum point is constructed. Influence of nonuniform deformation, which is on border of the unit of a quantum point and heteroepitaxial layer, and the sizes of a quantum point on depth and a structure of a potential hole forelectrons and holes at heterostructure with quantum points, is designed.uaArticle