Залежність зонних енергій напівпровідника від глибини кулонової потенціальної ями - Сиротюк, С. В.; Краєвський, С. Н.; Кинаш, Ю. Є. (Видавництво Національного університету "Львівська політехніка", 2004)
Розраховані електронні енергетичні спектри алмазу за допомогою аналітичної апроксиманти повного потенціалу атома у прямому просторі. , що враховує скінченність Кулонової ями в околі ядра атома. Досліджена залежність розрахованих зонних енергій від єдиного параметра в, що визначає глибину ями. Розрахунки зонних енергій електронів зроблені з різними значеннями цього параметра. Виведений наближений критерій вибору величини в для різних атомів. Матриця гамільтоніана розраховувалась у змішаному базисі одночастинкових станів, що складається з функцій Блоха атомних серцевин і плоских хвиль. Якісно встановлені причини дисперсії розрахованих параметрів електронних енергетичних зон за допомогою різних псевдопотенціалів, обгрунтованих у теорії функціонала повної електронної густини. The electronic energy band spectra of diamond have been calculated by means of analytical approximant of the total atomic potential in a direct space. A latter is represented in a form, accounting a finite limit of a Coulomb well in a vicinity of atomic nuclear. The depth of Coulomb well depends only of a unique parameter в. The band energies have been evaluated in a wide range of it. The approximate criteria for choice of в for different atoms has been derived. The Hamiltonian matrix has been calculated within the mixed basis of one-particle states, consisting of core Bloch sums and plane waves. On base of obtained results is made an assumption, concerning the reasons of considerable dispersion of calculated band energies with different pseudopotentials, derived in the density functional theory.
The semiconductor energy band structure dependence of coulomb potential well depth