Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі - Воронін, В. О.; Губа, С. К.; Литвин, М. О. (Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2001)
Описується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.

The mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.
Keywords: 539.291.1