Воронін, В. О.Губа, С. К.Литвин, М. О.2019-08-282019-08-282001-03-272001-03-27Воронін В. О. Однокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режимі / В. О. Воронін, С. К. Губа, М. О. Литвин // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — С. 169–174.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45296Описується математична модель росту арсеніду галію в хлоридній газотранспортній системі в режимі, при якому швидкість росту залежить від швидкості масодоставки і активаційних процесів на поверхні підкладки.The mathematical model of growth of gallium arsenide in chlorid gas transport system in a mode at which growth rate depends on speed of mass bringing and activation processes on a surface of a substrate is described.169-174ukОднокомпонентна модель епітаксійного росту GaAs з газової фази при перехідному режиміArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002© Воронін В. О., Губа С. К., Литвин М. О., 20026539.291.1Voronin V. O. Odnokomponentna model epitaksiinoho rostu GaAs z hazovoi fazy pry perekhidnomu rezhymi / V. O. Voronin, S. K. Huba, M. O. Lytvyn // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 443 : Радіоелектроніка та телекомунікації. — P. 169–174.