Бурий, О. А.Мельник, С. С.Убізський, С. Б.Матковський, А. О.2018-09-192018-09-192001Оптимізація мікрочіпового Nd:YAG лазера, що працює в режимі модульованої добротності / О. А. Бурий, С. С. Мельник, С. Б. Убізський, А. О. Матковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2001. – № 430 : Електроніка. – С. 26–31. – Бібліографія: 3 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/42649Розглянутий мікрочіповий Nd:YAG лазер, модуляція добротності якого здійснюється за допомогою плівки Cr +:YAG. Визначено оптимальні значення коефіцієнта відбиття вихідного дзеркала та початкового пропускання нелінійного абсорбера, які забезпечують максимальне значення енергії у генерованому імпульсі. The microchip Nd:YAG laser Q-switched by the epitaxial film of the Cr4+:YAG saturable absorber is considered. The optimal values of the absorber initial transmission and the output mirror reflectivity are being optimized in order to reach the maximum of the energy at the laser pulse.ukArticle© Бурий О. А., Мельник С. С., Убізський С. Б., Матковський А. О., 200126–31621.315.592