Товстюк, К. К.Прийма, Ю. В.Дума, М. В.2012-02-242012-02-242011Товстюк К. К. Зміна ширини забороненої зони у наноструктурі залежно від її конфігураційних особливостей / К. К. Товстюк, Ю. В. Прийма, М. В. Дума // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 168–173. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11558Розраховується енергія основного стану електронів та дірок у структурі, утвореній квантовою ямою (ZnSe) та асиметричними бар’єрами (ZnBeMnSe та ZnBeSe) залежно від ширини немагнітного шару та висоти бар’єру (ZnBeMnSe), що змінюється у магнітному полі внаслідок гігантського ефекту Зеємана. Показано особливості та проаналізовано відмінності, що наявні у спектрах електронів та дірок. Обчислено зміну ширини забороненої зони залежно від ширини немагнітного шару та розщеплення Зеємана.The lowest energy level for electrons and holes is calculated in a structure formed by quantum pit (ZnSe) and asymmetric barriers (ZnBeMnSe and ZnBeSe). The dependence of this energy on the non magnetic barrier width is investigated. The effect on energy by semimagnetic barier energy, which changes in magnetic field due to giant Zeeman splitting. The differences in specеrums of electrons and holes are investigated and the features of spectrums of electrons and holes are pointed out. The energy gap, depending on the width of semi magnetic barrier and Zeeman splitting is investigated.uaнаноструктураспектр електронівспектр дірокзміна ширини забороненої зониnanostructureelectrons spectrumholes spectrumenergy gapArticle