Павлиш, ВолодимирДаичишии, ІгорЗакалик, ЛюбовІваник, РостиславКорж, Роман2017-09-082017-09-082003Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур / Володимир Павлиш, Ігор Даичишии, Любов Закалик, Ростислав Іваник, Роман Корж // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 477 : Радіоелектроніка та телекомунікації. – С. 237–240. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39114Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.uaArticle