Моделювання характеристик компенсаційних шарів градієнтно-напружених гетероструктур - Павлиш, Володимир; Даичишии, Ігор; Закалик, Любов; Іваник, Ростислав; Корж, Роман (Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2003)
Наведено результати термодинамічного стану на границі розділу гетеро- структури InxGa1-xAs-GaAs при товщині перехідного шару не більше 4 нм. In this paper the results of thermodynamic analysis of a tight - strained state on boundary of separation of heterostructure InxGa1-xAs-GaAs are reduced at thickness of a transitional layer no more 4 nm.