Большакова, І. А.Заячук, Д. М.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Серкіз, Р. Я.Стецко, Р. М.Шуригін, Ф. М.2014-03-202014-03-202013Віскери напівпровідникових матеріалів як результат конкуруючого росту нановіскерів / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. Я. Серкіз, Р. М. Стецко, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2013. – № 764 : Електроніка. – С. 107–111. – Бібліографія: 13 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24012Наведено результати розроблення відтворюваної технології вирощування віскерів напівпровідникових сполук методом хімічних транспортних реакцій. Основою цієї технології є поетапність вирощування віскерів та поєднання в єдиному технологічному процесі кінетичного та дифузійного режимів росту. Ця технологія дозволяє отримувати високоякісні монокристалічні напівпровідникові віскери потрібних розмірів. Results of developing a reproducible technology for growing whiskers of semiconductor compounds by chemical transport reaction method are presented. The basis of the technology is its three-stage whisker growth and combination of kinetic and diffusive growth modes in single technologic cycle. The technology in question makes it possible to produce monocrystal semiconductor whiskers of high quality with required length and crosswise dimensions.uaпарова фазаметод ХТРнановіскеривіскериоствальдове дозріванняvapor phaseCTR methodnanowhiskerswhiskersOstwald ripeningArticle