Мельник, І. І.Московець, Т. А.Скульський, М. Ю.2012-02-092012-02-092000Мельник І. І. Вплив домішки Au на властивості мікрокристалів InSb, отриманих за методом хемічних транспортних реакцій / І. І. Мельник, Т. А. Московець, М. Ю. Скульський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 22–27. – Бібліографія: 3 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11420Дослідженням отриманих за методом хемічних транспортних реакцій ниткоподібних кристалів InSb<Au> встановлено вплив домішки Au на інтенсивність та геометричні форми зростання мікрокристалів. Показано, що характер електричної поведінки цієї домішки в InSb залежить від умов легування. При моноатомному легуванні Au поводиться як донор. Під час комплексного легування InSb оловом та золотом останнє призводить до зменшення концентрації електронів та розкиду електрофізичних параметрів по довжині мікрокристалів більше ніж у два рази. Au DOPING INFLUENCE UPON PROPERTIES OF InSb MICROCRYSTALS OBTAINED BY MEANS OF CHEMICAL TRANSPORT REACTIONS, by Melnyk I., Moskovets T., Skulsky M. The InSb<Au> whiskers were obtained by means of chemical transport reactions. Carried out investigations defined Au-dopant influence upon intensity and geometrical shape of the microcrystals. It was approved that electric behaviour type of this impurity in InSb depends on the doping conditions. Au acts as donor at the monoatomic doping. Under the complex doping of InSb with tin and gold the last impurity leads to electron concentration decrase and more than 2 times reduces spread in electrophysical parameters with respect to the microcrystal length.uaArticle