Готра, З. Ю.Голяка, Р. Л.Гладун, М. Р.Гуменюк, І. А.2019-08-212019-08-212002-03-262002-03-26Дослідження впливу зміщення підкладки іонно-селективних польових транзисторів на параметри хімічних сенсорів / З. Ю. Готра, Р. Л. Голяка, М. Р. Гладун, І. А. Гуменюк // Вісник Національного університету “Львівська політехніка”. — Львів : Видавництво Національного університету “Львівська політехніка”, 2002. — № 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — С. 15–19.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/45264Досліджено вплив потенціалу підкладки іонно-селективних польових транзисторів (ІСПТ) на вихідний сигнал хімічних сенсорів, зокрема рН-метрів, Показано, що в багатьох відомих хімічних сенсорах, які використовують схему з заземленим опорним електродом (затвором ІСПТ), нестабільність зміщення р-ппереходу підкладка-внтік має негативний вплив на характеристики сенсорів. Проведено дослідження та подано аналітичне описання впливу “ефекту підкладки” на характеристики іонно-селективного польового транзистораThe influence of substrate potential of ion-selective field effect transistor (ISFET) on output signal of chemical sensors, particularly Ph-meters, is studied. It is shown that in series of well-known chemical sensors which use circuit with ground reference electrode (ISFET gate) the instability of substrate-source p-n junction influences negatively on sensor characteristics. The influence of “substrate effect” on ISFET characteristics is studied experimentally and analytically.15-19ukArticle© Національний університет “Львівська політехніка”, 2002© Готра З. Ю., Голяка Р. Л., Гладун М.Р., Гуменюк І. А., 20025621.382Doslidzhennia vplyvu zmishchennia pidkladky ionno-selektyvnykh polovykh tranzystoriv na parametry khimichnykh sensoriv / Z. Yu. Hotra, R. L. Holiaka, M. R. Hladun, I. A. Humeniuk // Visnyk Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika". — Vydavnytstvo Natsionalnoho universytetu "Lvivska politekhnika", 2002. — No 454 : Елементи теорії та прилади твердотілої електроніки. — P. 15–19.