Новосядлий, С. П.Мельник, Л. В.2015-04-292015-04-292014Новосядлий С. П. Фізико-топологічні аспекти моделювання арсенідгалієвого супер-бета транзистора на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС комп´ютерних систем / С. П. Новосядлий, Л. В. Мельник // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2014. – № 806 : Комп'ютерні системи та мережі. – С. 199–207. – Бібліографія: 6 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/27231Серед напівпровідників найпоширенішим у мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем був і залишається кремній. Разом з тим сьогодні почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми завдяки високій рухливості носіїв заряду в GaAs мають частотний діапазон функціонування, недосяжний для мікросхеми на основі кремнію (Si). Among the semiconductors in latitude use in microelectronics for digital circuits silicon has been and remains the main material. However, today began intensively implemented circuits based on gallium arsenide. Gallium arsenide circuits because of the high charge carrier mobility in GaAs with a frequency range of operation of reach for chips based on silicon (Si).uaсупер-бета транзисторгетероструктураарсенід галіюкремнійреактори електронно-циклотронного резонансуsuper-beta transistorheterostructuregallium arsenidesiliconreactors electron-cyclotron resonanceArticle