Баран, М. М.Пелещак, Р. М.2012-02-092012-02-092000Баран М. М. Зміна енергії локалізованих електронних станів кристала з дислокацією під дією електричного поля / М. М. Баран, Р. М. Пелещак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2000. – № 397 : Електроніка. – С. 92–96. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11430У межах електрон-деформаційної моделі показано, що енергія локалізованих електронних станів кристала з крайовою дислокацією зі зростанням електричного поля зростає у випадку, коли вектор напруженості електричного поля ε збігається з напрямком електрон-деформаційного дипольного моменту Pel-d. У разі коли напрямки ε і Pel-d не збігаються, існує протилежний ефект. In the framework of electron-deformation model it is shown, that the energy of localized electron states in crystal with edge dislocation increases with the growth of electric field in the case that directions of electric field vector ε and vector of electrondeformation dipole moment Pel-d coincide. Opposite effect takes place if these vectors do not coincide.uaArticle