Крайовський, Р.Ромака, В.2011-03-152011-03-152010Крайовський Р. Прогнозування термометричних характеристик Zr1-xНоxNiSn на основі результатів розрахунків розподілу електронної густини / Р. Крайовський, В. Ромака // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 665 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 69–74. – Бібліографія: 5 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/7977Досліджено вплив акцепторної домішки Но на зміну кристалічної та електронної структур інтерметалічного напівпровідника n-ZrNiSn у концентраційному діапазоні х(Но) = 0 ÷ 0,50. Зроблені висновки про характер поведінки рівня Фермі (εF ) Zr1-xНоxNiSn, механізми керування положенням εF та особливості функцій перетворення резистивних та термоелектричних термоелементів.uaArticle