Ваків, М. М.Круковський, Р. С.2012-11-292012-11-292012Ваків М. М. Визначення температури інверсії типу провідності в епітаксійних шарах InAs, отриманих РФЕ з індієвих розплавів, легованих кремнієм / М. М. Ваків, Р. С. Круковський // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 80–84. – Бібліографія: 3 назви.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16057Досліджено залежність концентрації електронів та дірок в епітаксійних шарах InAs, отриманих із індієвих розплавів легованих кремнієм, в інервалі температур 880–820 °С та 780–630 °С. Встановлено, що у високотемпературному інтервалі кристалізуються епітаксійні шари InAs р- типу провідності, а в низькотемпературному n-типу провідності. Цей ефект пояснюється амфотерною поведінкою кремнію в шарах InAs. The dependence of concentration of electrons and holes in InAs epitaxial layers, obtained from indium melts dopped by silicon in the temperature range of 880–820 °C and 780–630 °C was investigated. It was found that in high-temperature range InAs epitaxial layers of p-type conductivity are intended to crystallize, and in low-temperature – of n-type conductivity. This effect is explained by amphoteric behavior of silicon in InAs layers.uaРФЕInAsепітаксіяLPEepitaxyArticle