Сиротюк, С. В.Кинаш, Ю. Є.Краєвський, С. Н.Різак, В. Л.2018-03-132018-03-132002Прискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAs / C. B. Сиротюк, Ю. Є. Кинаш, С. Н. Краєвський*, В. Л. Різак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2002. – № 455 : Електроніка. – С. 196–200. – Бібліографія: 9 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/39622Виведені і реалізовані прискорені алгоритми розрахунку матриці гаміль-тоніана кристала на змішаному базисі одноелектронних станів. Доведена їхня перевага над традиційним підходом, що ґрунтується на розкладі кристалічного потенціалу в ряд Фур’є. The accelerated algorithms for crystal Hamiltonian matrix calculation within the mixed basis of single-particle states have been derived and implemented. Their advantage over traditional approach grounded on the Fourier series development of crystal potential has been proved.ukПрискорені алгоритми розрахунку законів дисперсії на змішаному базисі в GaAsThe accelerated algorithms for disrersion laws calculation within mixed basis in GaAsArticleСиротюк С. В., Кинаш Ю. Є., Краєвський С. Н., Різак В. Л., 2002196-200537.311.322