Большакова, І. А.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Стецко, Р. М.Швець, О. В.Шуригін, Ф. М.2012-02-202012-02-202011Моделювання фізико-хімічних процесів росту кристалів твердого розчину InAs-GaAs / І. А. Большакова, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Р. М. Стецко, О. В. Швець, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2011. – № 708 : Електроніка. – С. 99–104. – Бібліографія: 9 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/11531Виконано термодинамічне моделювання технологічних умов отримання мікро-кристалів InAs-GaAs за методом хімічних транспортних реакцій у хлоридній системі. Визначено рівноважний склад газової фази такої системи. Проведено кількісний розрахунок парціальних тисків компонентів газової фази досліджуваної системи. Визначені оптимальні технологічні режими вирощування мікрокристалів твердого розчину InAs-GaAs.галію. Thermodynamic modeling of technological conditions for obtaining InAs-GaAs microcrystals by the method of chemical transport reaction in chloride system was performed. Equilibrium composition of gas phase for such system was determined. Quantitative calculation of partial pressures of gas phase components for the studied system was performed. Optimal technological modes for growing InAs-GaAs solid solution microcrystals were determined.uaмоделюваннятвердий розчинмікрокристалиарсенід індіюарсенід галіюsolid solutionmodelingmicrocrystalsindium arsenidegallium arsenideArticle