Novosyadly, StepanVoznyak, YuriVartsabiuk, Andriy2010-10-042010-10-042010Novosyadly S. Features of forming sub-micron gaas-structures on schottky field-effect transistor (SFT) / Stepan Novosyadly, Yuri Voznyak, Andriy Vartsabiuk // Сучасні проблеми радіоелектроніки, телекомунікацій, комп'ютерної інженерії : матеріали ХХ Міжнародної конференції TCSET2010, присвяченої 165-й річниці заснування Національного університету «Львівська політехніка», 23–27 лютого 2010 року, Львів, Славське, Україна / Національний університет «Львівська політехніка». – Львів : Видавництво Львівської політехніки, 2010. – С. 80. – Bibliography: 3 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/6220This article describes a problem about small Schottky barrier height for p-channel GaAs field-effect transistors complementary pair.engallium arsenideGaAsschottky transistorsfield-effect transistorintegral circuitsArticle