Швед, В. М.2012-12-032012-12-032012Швед В. М. Вплив локальних міжелектронних кореляцій на значення розрахованих зонних енергій у кристалі GaN / В. М. Швед // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 734 : Електроніка. – С. 173–177. – Бібліографія: 13 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/16069Розраховані парціальні густини електронних станів та електронні енергетичні спектри кристала GaN з градієнтними поправками у функціоналі обмінно-кореляційної енергії без і з урахуванням сильних локальних кореляцій напівостовних 3d-електронів Ga. Розрахунки виконані за методом проекційних приєднаних хвиль. Отримані результати вказують на важливість урахування локальних кореляцій, без яких розщеплені полем кристала 3d-рівні Ga розміщені у валентній зоні, що суперечить експерименту. Partial density of electronic states and electronic energy spectra of the crystal GaN with gradient corrections in the exchange-correlation energy functional without and with taking into account the strong local correlations of semicore 3d-electrons of Ga is calculated. Calculations are performed by the projector augmented waves method. The results indicate the importance of taking into account local correlations, without which 3d-levels of Ga, splitted by crystal field, appear in the valence band contrary to experiment.uaпарціальна густина електронних станівповна густина електронних станівгібридизовані енергетичні станисильно скорельовані електрониelectron energy spectrapartial density of statestotal density of stateshybridized statesstrongly correlated electronsArticle