Електрофізичні та магнітотранспортні характеристики ниткоподібних кристалів GaAs для сенсорної електроніки - Чемерис , Дмитро Вікторович (Національний університет «Львівська політехніка», 2024)
Дисертація присвячена встановленню закономірностей зміни магнітотранспортних та електротранспортних характеристик ниткоподібних кристалів арсеніду галію, при різних рівнях домішкового легування поблизу переходу метал-діелектрик під ефективним впливом зовнішніх полів (магнітного поля, температури та деформації) для створення сенсорів фізичних величин, дієздатних у складних умовах експлуатації.The dissertation is devoted to establishing regularities in the change of magnetotransport and electrotransport characteristics of GaAs nanowires at various levels of doping near the metal-dielectric transition under the effective influence of external fields (magnetic field, temperature, and deformation) for the creation of sensors for physical quantities capable of operating in complex operating conditions
Electrophysical and magnetotransport characteristics of GaAs nanowires for sensor electronics
Keywords: сенсор, арсенід галію, хімічним осадженням з парової фази (CVD), хімічні транспортні реакції (ХТР), осциляції Шубнікова – де Гааза, спінорбітальна взаємодія (SOI), слабка антилокалізація (WАL), слабка локалізація (WL), 5 магніторезистивний ефект, перехід метал-діелектрик, кріогенні температури, магнітопір, електропровідність, ниткоподібний кристал, sensor, gallium arsenide, chemical vapor deposition (CVD), chemical transport reactions (CTR), Shubnikov–de Haas oscillations, spin-orbit interaction (SOI), weak anti-localization (WAL), weak localization (WL), magnetoresistive effect, metaldielectric transition, cryogenic temperatures, magnetoresistance, electrical conductivity, whiskers.