Корначевський, Я.2017-08-232017-08-232004Корначевський Я. Врахування ефекту консервації заряду в BSIM-моделях / Я. Корначевський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2004. – № 501 : Комп’ютерні системи проектування. Теорія і практика. – С. 137–140. – Бібліографія: 8 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/38827Розглядаються особливості реалізації і застосування взаємних ємностей, які відображають ефект консервації заряду в КМОН-моделях на прикладі моделі BS1M3 версії v3. Charge Conservation approach in CMOS models on the basis of BSlM3v3 is discussed. Approaches for realization of basic functions of model parameters accounting are proposed.uaArticle