Монастирський, Л. С.Оленич, І. Б.Парандій, П. П.2013-10-212013-10-212012Монастирський Л. С. Перспектива застосування поруватого кремнію під час створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об'єктів / Л. С. Монастирський, І. Б. Оленич, П. П. Парандій // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2012. – № 741 : Автоматика, вимірювання та керування. – С. 165–169. – Бібліографія: 14 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/21481Розглянуто можливість застосування поруватого кремнію для створення пристроїв фізико-технічного захисту інформації та інформаційних об’єктів. Зокрема, поруватий кремній може бути перспективний під час формування самознищувальних кремнієвих чіпів для захисту криптографічних ключів, створених на основані флеш-пристроїв. Фоточутливість поруватого кремнію у широкому спектральному діапазоні придатна для створення систем фотоелектричного захисту периметра інформаційних об’єктів. Велика розвиненість поверхні нанокристалічного поруватого кремнію є визначальною для створення дешевих газоадсорб- ційних сенсорів на його основі, зокрема пристроїв, чутливих до вибухонебезпечних, токсичних газів, таких як метан, водень тощо. The possibility of porous silicon devices application in the term of creation of physical and technical information and information objects protection. One of them is to build self- destructed silicon chips, in particular to protect the cryptographic keys that are created on the basis of flash devices. As well as the suitability of the studied object for the creation of photoelectric perimeter protection of information objects. Great advances in surface of nanosized porous silicon is crucial for making cheap gas-adsorption sensors based on it, such devices are sensitive to explosive, toxic gases like methane, hydrogen and others.uaінформаціяпоруватий кремнійпериметркремнієвий чіпфотовольтаїчний ефектсенсорinformationporous siliconperimetersilicon chipphotovoltaic effectsensorArticle