Рибак, О. В.2009-09-152009-09-152008Рибак О. В. Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцем / О. В. Рибак // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2008. – № 619 : Електроніка. – С. 52-56. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/1902Описана методика легування монокристалів PbI2 марганцем під час росту з парової фази в закритій системі при тиску парів надстехіометричного йоду. Швидкість масопере-несення в системі і концентрація домішки в монокристалах визначаються двома факторами: концентрацією легуючого металу в шихті і температурою зони джерела. Встановлено вплив марганцю на низькотемпературні (5 К) екситонні спектри фотолюмінесценції (ФЛ) PbI2. A procedure of doping PbI2 single crystals with Mn during vapor-phase growth in a closed system in the presence of excess iodine is described. The rate of mass transport in the system and the doping level of the crystals are shown to be governed by the dopant content in the source material and the source temperature. The effect of Mn doping on the lowtemperature (5 K) exciton photoluminescence (PL) spectrum of PbI2 is established.Вирощування з парової фази та властивості кристалів pbi2 легованих марганцемVapor-phase crystal growth and properties of pbi2 doped with mnArticle