Дружинін, А. О.Мар'ямова, І. Й.Кутраков, О. П.Павловський, І. В.2015-12-232015-12-232003Дружинін А. О. П'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурах / А. О. Дружинін, І. Й. Мар'ямова, О. П. Кутраков, І. В. Павловський // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 98–104. – Бібліографія: 9 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30807Проведено дослідження п'єзорезистивного ефекту в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу в температурному діапазоні 1,7÷300 К. Досліджувався вплив деформації на питомий опір цих кристалів і енергію активації домішки.Виявлено гігантський п'єзоопір в ниткоподібних кристалах кремнію р-типу поблизу фазового переходу метал-діелектрик при гелієвих температурах.Досліджено залежність коефіцієнта тензочутливості від концентрації легуючої домішки і температури. Обговорюється можливість використання гігантського п'єзооопору для створення високочутливих сенсорів механічних величин.Piezoresistive properties of Si whiskers in 1.7÷300 K temperature range were investigated. The effect of strain on the resistivity and the impurity activation energy of these crystals were studied. The giant piezoresistance was observed in p-type silicon whiskers in the vicinity of metal-insulator transition at helium temperatures. The gauge factor dependence on impurity concentration and temperature was studied. The possibility of application of giant piezoresistance to develop high-sensitive mechanical sensors is discussed.uaП'єзоопір легованих ниткоподібних кристалів кремнію при кріогенних температурахPiezorezistance in doped si whiskers at cryogenic temperaturesArticle