Большакова, І. А.Заячук, Д. М.Кость, Я. Я.Макідо, О. Ю.Шуригін, Ф. М.2014-03-242014-03-242010Технологія отримання віскерів GaAs у відкритому проточному реакторі / І. А. Большакова, Д. М. Заячук, Я. Я. Кость, О. Ю. Макідо, Ф. М. Шуригін // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2010. – № 681 : Електроніка. – С. 75–79. – Бібліографія: 7 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/24078Наведена технологія отримання мікровіскерів GaAs в проточному реакторі. Технологія дає змогу контролювати діаметри віскерів у діапазоні від десятків нанометрів до десятків мікрон. Запропонована модель, яка пояснює основні етапи осадження матеріалу з парової фази. Основними положеннями моделі є механізм пара-рідина-кристал і конкуруючий ріст нанодротин. The technology for obtaining GaAs microwhiskers in flow reactor is presented. The technology allows controlling whiskers diameters in the range from tens of nanometers to tens of microns. The model explaining the basic stages of material deposition from vapour phase is suggested. The basic principles of the model are the vapour-liquid-solid mechanism and competitive nanowires growth.uaарсенід галіюнановіскер (нанодротина)віскермеханізм ПРКпарогазова фазапроточний реактордозрівання Освальдаgallium arsenidenanowhisker (nanowire)whiskerVLS mechanismgas-vapor phaseflow reactorOstwald ripeningArticle