Дружинін, А. О.Островський, І. П.Ховерко, Ю. М.Нічкало, С. І.2010-02-192010-02-192009Вирощування нанорозмірних кристалів Si методом газофазової епітаксії / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, С. І. Нічкало // Вісник Національного університету "Львівська політехніка". – 2009. – № 646 : Електроніка. – С. 11–16. – Бібліографія: 14 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/2528Вивчено особливості росту ансамблю нанодротин кремнію методом хімічної газофазової епітаксії у відкритій транспортній системі. Згідно з ПРК-механізмом ріст нанодротин відбувався з використанням реагуючих речовин SiCl4 та H2 і золота як ініціатора росту. Проведено моделювання кінетики росту ниткоподібних кристалів кремнію. The paper deals with a study of growth peculiarities of Si nanowires array by CVD method in open system. The wires were grown from SiCl4 and H2 precursources using Au as the initiator of growth according to VLS mechanism. Mathematical simulation of silicon nanowires growth kinetics was performed.uaнанодротин кремніюгазофазова епітаксіяSi nanowiresgrowth peculiaritiesArticle