Druzhynin, AnatoliyKogut, IgorGolota, ViktorKhoverko, Yuriy2014-02-112014-02-112013Accelerometer sensing element based on nanostructured silicon / Anatoliy Druzhynin, Igor Kogut, Yuriy Khoverko, Viktor Golota // Computational Problems of Electrical Engineering. – 2013. – Volume 3, number 1. – P. 11–15. – Bibliography: 25 titles.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/23382In this work we consider sensing elements of an accelerometer which is made using the combined technologies of silicon-on-insulator (SOI) structures and silicon nanocrystals whiskers manufacturing. On their basis a quick-response, high sensitive to acceleration and displacement device with submicrometer and nanometer typological sizes has been designed. This enabled us to create, on its basis, both a discrete device and an element of integrated nanoelectromechanical element silicon-on- insulator structures, which provides control of displacement up to 200 nm. У роботі розглянуто чутливий елемент акселерометра, виконаний з використанням суміщеної технології створення структур кремній-а-ізоляторі та ниткоподібних нанокристалів кремнію. На його основі розроблено малоінерційний, швидкодіючий, високочутливий до прискорення і переміщень пристрій із субмікрометровими та нанометрровими топологічними розмірами. Це дало можливість реалізувати як дискретний прилад, так і елемент зінтегрованих наноелектромеханічних систем зі структурою кремній-на-ізоляторі, який за безпечує контроль переміщення з точністю до 200 нм.enaccelerometerpolysiliconstructure silicon-on-insulatoretchingnanoelectromechanical systemArticle