Пелещак, Р.М.Рудницький, С.В.2015-12-232015-12-232003Пелещак Р. М. Зміна заповнення електронних станів вздовж осі надгратки GaAs-Si (δ), зумовлена неузгодженістю параметрів / Р. М. Пелещак, С. В. Рудницький // Вісник Національного університету «Львівська політехніка». – 2003. – № 482 : Електроніка. – С. 141–147. – Бібліографія: 10 назв.https://ena.lpnu.ua/handle/ntb/30919Розраховано зміни концентрації електронів у напрямку осі гетероструктури GaAs-Si (δ). Встановлено, що в центрі δ-шару створюється область збіднення і натомість на гетеромежі спостерігається підвищення концентрації електронів.Досліджено залежність зміни концентрації від параметра надгратки.Change of a charge concentration in heterostructure GaAs-Si (δ) are investigated.It established, that the center of a δ-layer is area of poverty and on heteroborders there is a surplus of concentration of charges. The influence of parameters superlattice on concentration distribution is a analyzed.uaArticle